| 型号：FQAF58N08 | 类别：FET - 单 | 制造商：Fairchild Semiconductor |
| 封装：SC-94 | 描述：MOSFET N-CH 80V 44A TO-3PF | |
详细参数
| 类别 | FET - 单 |
|---|---|
| 描述 | MOSFET N-CH 80V 44A TO-3PF |
| 系列 | QFET™ |
| 制造商 | Fairchild Semiconductor |
| FET型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET特点 | 标准 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 80V |
| 电流_连续漏极（Id）0a025000C | 44A |
| 开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C | 24 毫欧 @ 22A，10V |
| Id时的Vgs（th）111最大222 | 4V @ 250µA |
| 闸电荷（Qg）0a0Vgs | 65nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）0a0Vds | 1900pF @ 25V |
| 功率_最大 | 85W |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | SC-94 |
| 供应商设备封装 | TO-3PF |
| 包装 | 管件 |
供应商
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径向
CAP CER 270PF 50V 5% RADIAL
- CGA6M3X7R1C106K
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1210（3225 公制）
CAP CER 10UF 16V 10% X7R 1210
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0805（2012 公制）
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0603（1608 公制）
CAP CER 1000PF 50V 10% X7R 0603
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径向
CAP CER 33PF 50V 5% RADIAL
- CGA6M3X7R1H225K
陶瓷
TDK Corporation
1210（3225 公制）
CAP CER 2.2UF 50V 10% X7R 1210
- CGJ5L4X7R2H333K
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1206（3216 公制）
CAP CER 0.033UF 500V X7R 1206
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0805（2012 公制）
RES 220K OHM 1/4W 1% 0805 SMD
- CGA3E2X7R1H103K
陶瓷
TDK Corporation
0603（1608 公制）
CAP CER 10000PF 50V 10% X7R 0603
- FK18C0G1H391J
陶瓷
TDK Corporation
径向
CAP CER 390PF 50V 5% RADIAL
- CGA6M3X7R1H225K
陶瓷
TDK Corporation
1210（3225 公制）
CAP CER 2.2UF 50V 10% X7R 1210
- CGA3E2X7R1H103K
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1206（3216 公制）
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0805（2012 公制）
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径向
CAP CER 3900PF 50V 5% RADIAL
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陶瓷
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1206（3216 公制）
CAP CER 0.047UF 500V X7T 1206
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陶瓷
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0603（1608 公制）
CAP CER 220PF 50V 10% X7R 0603
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0603（1608 公制）
CAP CER 2200PF 50V 10% X7R 0603
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- CGA6M3X7R2E104K/SOFT
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陶瓷
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径向
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0603（1608 公制）
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- FK18C0G1H562J
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径向
CAP CER 5600PF 50V 5% RADIAL
- ESR10EZPF4301
芯片电阻 - 表面安装
Rohm Semiconductor
0805（2012 公制）
RES 4.30K OHM 1/4W 1% 0805 SMD
- CGA3E2X7R1H223K
陶瓷
TDK Corporation
0603（1608 公制）
CAP CER 0.022UF 50V 10% X7R 0603
- FQB11N40TM
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TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
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